| 发明名称 | 衬底处理装置及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能抑制簇射头所具有的气体分散板发生阻塞的衬底处理装置及半导体器件的制造方法。具有：处理室，其对衬底进行处理；簇射头，其设置于上述处理室的上游；气体供给管，其与上述簇射头连接；第一排气管，其与上述处理室的下游侧连接；第二排气管，其连接于构成上述簇射头的壁面中的、与相邻于上述处理室的第一壁面不同的第二壁面；压力检测部，其设置于上述第二排气管；控制部，其对各结构进行控制。 | ||
| 申请公布号 | CN105441905A | 申请公布日期 | 2016.03.30 |
| 申请号 | CN201510531923.4 | 申请日期 | 2015.08.26 |
| 申请人 | 株式会社日立国际电气 | 发明人 | 山本哲夫 |
| 分类号 | C23C16/455(2006.01)I;C23C16/513(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/455(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 杨宏军;李文屿 |
| 主权项 | 一种衬底处理装置，其具有：处理室，其对衬底进行处理；簇射头，其设置于所述处理室的上游侧；气体供给管，其与所述簇射头连接；第一排气管，其与所述处理室的下游侧连接；第二排气管，其连接于构成所述簇射头的壁面中的、与相邻于所述处理室的第一壁面不同的第二壁面；压力检测部，其设置于所述第二排气管；控制部，其对各结构进行控制。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||