Verfahren und Vorrichtung zur Niedertemperaturepitaxie auf einer Vielzahl von Halbleitersubstraten

摘要

Verfahren zur Abscheidung von Schichten auf einer Vielzahl von Halbleitersubstraten gleichzeitig, mit den Schritten – Reinigung mindestens je einer Oberfläche der Halbleitersubstrate in einem ersten Reaktor bei einer ersten Substrattemperatur Tred, – Transport der Halbleitersubstrate vom ersten in einen zweiten Reaktor, – nachfolgende Abscheidung mindestens je einer Schicht auf den Halbleitersubstraten im zweiten Reaktor bei einer zweiten Substrattemperatur Tdep wobei die Halbleitersubstrate während der Reinigung und während des Transports vom ersten in den zweiten Reaktor unterbrechungsfrei in einer reduzierenden Gasatmosphäre bewegt oder gelagert werden, solange die Substrattemperatur über einer vom Substratmaterial und dem Material der mindestens einen abzuscheidenden Schicht abhängigen kritischen Temperatur Tc liegt, oberhalb derer bei einer Lagerung oder einem Transport in einer nicht reduzierenden Gasatmosphäre durch unerwünschte Reaktionen oder Verunreinigungen die nachfolgende Abscheidung der Schichten beeinträchtigt würde, und bei dem der Transport der Halbleitersubstrate durch eine Transportkammer mit nicht reduzierender Gasatmosphäre bei einer Substrattemperatur unterhalb der kritischen Temperatur führt.