发明名称 |
半導体レーザダイオード |
摘要 |
A semiconductor laser diode is provided. A semiconductor layer sequence has semiconductor layers applied vertically one above the other. An active layer includes an active region having a width of greater than or equal to 30 μm emitting laser radiation during operation via a radiation coupling-out surface. The radiation coupling-out surface is formed by a lateral surface of the semiconductor layer sequence and forms, with an opposite rear surface, a resonator having lateral gain-guiding in a longitudinal direction. The semiconductor layer sequence is heated in a thermal region of influence by reason of the operation. A metallization layer is in direct contact with a top side of the semiconductor layer sequence |
申请公布号 |
JP5894293(B2) |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
JP20140543834 |
申请日期 |
2012.11.19 |
申请人 |
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH |
发明人 |
ラウアー クリスティアン;ケーニッヒ ハラルト;シュトラウス ウーヴェ;バッハマン アレクサンダー |
分类号 |
H01S5/024;H01L23/36;H01L29/41;H01S5/042 |
主分类号 |
H01S5/024 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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