发明名称 Vorrichtung für Schreib- und Lese-Vorgänge mit geringem Energieverbrauch für einen resistiven Speicher
摘要 Beschrieben werden Vorrichtungen zur Verbesserung der Energieeffizienz eines resistiven Speichers. Eine Vorrichtung führt datengesteuerte Schreibvorgänge durch, um die asymmetrische Schreib-Umschalt-Energie zwischen Write0- und Write1-Vorgängen auszunutzen. Die Vorrichtung umfasst: eine resistive Speicherzelle, gekoppelt an eine Bitleitung und eine Auswahlleitung; ein erstes Pass-Gate, gekoppelt an die Bitleitung; ein zweites Pass-Gate, gekoppelt an die Auswahlleitung; und einen Multiplexer, bedienbar durch Eingabedaten, wobei der Multiplexer zum Bereitstellen eines Kontrollsignals an das erste und zweite Pass-Gate oder an die Schreib-Treiber gemäß dem Logikpegel der Eingabedaten dient. Eine Vorrichtung umfasst eine Schaltung zum Durchführen von Lese-Vorgängen vor Schreib-Vorgängen, der mit einem zunächst durchgeführten Lese-Vorgang mit geringem Energieverbrauch unnötige Schreibvorgänge vermeidet. Eine Vorrichtung umfasst eine Schaltung, um einen selbstkontrollierten Schreib-Vorgang durchzuführen, der den Schreib-Vorgang stoppt, sobald eine Bitzelle ihren Zustand flippt. Eine Vorrichtung umfasst eine Schaltung, um einen selbstkontrollierten Lesevorgang durchzuführen, der den Lesevorgang stoppt, sobald Daten detektiert werden.
申请公布号 DE112013007054(T5) 申请公布日期 2016.03.17
申请号 DE20131107054T 申请日期 2013.06.28
申请人 INTEL CORPORATION 发明人 WEI, LIQIONG;HAMZAOGLU, FATIH;WANG, YIH;AUGUST, NATHANIEL J.;LIN, BLAKE C.;DRAY, CYRILLE
分类号 G11C11/16;G06F13/00;H01L29/82 主分类号 G11C11/16
代理机构 代理人
主权项
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