发明名称 |
封装半导体元件的制造方法及半导体装置的制造方法 |
摘要 |
封装半导体元件的制造方法包括:准备工序,在该准备工序中,准备配置有半导体元件的支承片;封装工序,在该封装工序中,利用具有剥离层、层叠在剥离层之下且由热固化性树脂构成的完全固化前的封装层以及层叠在剥离层之上且用于加强剥离层和封装层的加强层的封装片的封装层,在常温下埋设半导体元件而将半导体元件封装;加热工序,该加热工序在封装工序之后对封装层加热而使封装层固化;以及剥离工序,该剥离工序在加热工序之后将加强层剥离。 |
申请公布号 |
CN105408989A |
申请公布日期 |
2016.03.16 |
申请号 |
CN201480042209.2 |
申请日期 |
2014.07.28 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
大薮恭也;野吕弘司;河野广希 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;张会华 |
主权项 |
一种封装半导体元件的制造方法,其特征在于,包括:准备工序,在该准备工序中,准备配置有半导体元件的支承片;封装工序,在该封装工序中,利用具有剥离层、完全固化前的封装层以及加强层的封装片的所述封装层在常温下对所述半导体元件进行埋设封装,其中,该封装层层叠在所述剥离层之下,且由热固化性树脂形成,该加强层层叠在所述剥离层之上,用于加强所述剥离层和所述封装层;加热工序,该加热工序在所述封装工序之后,在该加热工序中,对所述封装层加热而使所述封装层固化;以及剥离工序,该剥离工序在所述加热工序之后,在该剥离工序中,将所述加强层剥离。 |
地址 |
日本大阪府 |