发明名称 保护覆盖膜的覆盖方法
摘要 本发明提供保护覆盖膜的覆盖方法,无论晶片的正面形状如何,都能够在晶片的正面均匀地形成保护覆盖膜。保护覆盖膜的覆盖方法构成为包括:树脂片载置工序,由膜状的树脂片(10)覆盖晶片(W)的正面整个区域;贴合工序,将在树脂片载置工序中覆盖了晶片的正面整个区域的树脂片贴紧于正面而贴合树脂片;以及硬化工序,使经过了贴合工序的树脂片硬化,根据本方法,在晶片的正面形成与树脂片的厚度对应的保护覆盖膜。
申请公布号 CN105405753A 申请公布日期 2016.03.16
申请号 CN201510561179.2 申请日期 2015.09.06
申请人 株式会社迪思科 发明人 曾良大树
分类号 H01L21/302(2006.01)I 主分类号 H01L21/302(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 李辉;金玲
主权项 一种保护覆盖膜的覆盖方法,由树脂在板状的晶片的正面形成保护覆盖膜,该覆盖方法包括:树脂片载置工序,由膜状的树脂片覆盖整个该正面;贴合工序,将在该树脂片载置工序中覆盖了整个该正面的该树脂片贴紧于该正面而贴合该树脂片;以及硬化工序,使经过了该贴合工序的该树脂片硬化。
地址 日本东京都