发明名称 |
以奈米线为主之透明导体及其图案化方法 |
摘要 |
明描述图案化以奈米线为主之透明导体之方法。详言之,该等方法系关于产生低可见度或不可见图案之部分蚀刻。 |
申请公布号 |
TWI525033 |
申请公布日期 |
2016.03.11 |
申请号 |
TW100106338 |
申请日期 |
2011.02.24 |
申请人 |
坎毕欧科技公司 |
发明人 |
代海霞;那朔;史派德 麦可A;沃克 杰佛瑞 |
分类号 |
B82B3/00(2006.01);B82Y40/00(2011.01) |
主分类号 |
B82B3/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种光学均匀透明导体,其包含:基板;于该基板上之导电薄膜,该导电薄膜包括复数个互连奈米结构,其中于该导电薄膜上之图案界定(1)具有第一电阻率、第一透射率及第一浊度之经蚀刻区域,及(2)具有第二电阻率、第二透射率及第二浊度之未经蚀刻区域;且其中该经蚀刻区域之导电性小于该未经蚀刻区域,该第一电阻率与该第二电阻率之比率为至少1000;该第一透射率与该第二透射率之差异小于5%;该第一浊度与该第二浊度之差异小于0.5%。
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地址 |
美国 |