包含金属闸极及形成在隔离结构上之含矽电阻器的半导体装置

摘要

括有依据取代性闸极方法所形成之精密高k值金属闸极结构的半导体装置中，可于隔离结构上方形成以半导体为基础的电阻器而实质上不会受到该取代性闸极方法所影响。因此，相较于知策略(其中，该等电阻结构可能必须基于闸极电极金属而设置)而言，可达到增强的面积效率，惟由于在该隔离结构上方设置该等电阻结构，故可同时实现低寄生电容。

主权项

一种半导体装置，包括：电晶体元件，系包括闸极电极结构，该闸极电极结构包括高k值闸极介电材料、形成于该高k值闸极介电材料上方的含金属电极材料、以及形成于该含金属电极材料上方的经掺杂的半导体材料；以及电阻器，系形成于隔离结构上方，该电阻器包括该经掺杂的半导体材料。