发明名称 |
包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块 |
摘要 |
本发明涉及包含相关系统、装置及方法的功率放大器模块,其包含:功率放大器,其包含GaAs双极晶体管,所述GaAs双极晶体管具有集极、邻接所述集极的基极及射极,所述集极在与所述基极的结处具有至少约3×10<sup>16</sup>cm<sup>-3</sup>的掺杂浓度,所述集极还具有其中掺杂浓度远离所述基极增加的至少第一分级;及RF发射线,其由所述功率放大器驱动,所述RF发射线包含导电层及所述导电层上的表面处理镀层,所述表面处理镀层包含金层、接近所述金层的钯层及接近所述钯层的扩散势垒层,所述扩散势垒层包含镍且具有小于约镍在0.9GHz下的集肤深度的厚度。本发明还提供所述模块的其它实施例连同其相关方法及组件。 |
申请公布号 |
CN104410373B |
申请公布日期 |
2016.03.09 |
申请号 |
CN201410509826.0 |
申请日期 |
2013.06.13 |
申请人 |
西凯渥资讯处理科技公司 |
发明人 |
霍华德·E·陈;亦凡·郭;庭福·吴·黄;迈赫兰·贾纳尼;田·敏·古;菲利浦·约翰·勒托拉;安东尼·詹姆斯·洛比安可;哈迪克·布潘达·莫迪;黄·梦·阮;马修·托马斯·奥扎拉斯;山德拉·刘易斯·培帝威克;马修·肖恩·里德;詹斯·阿尔布雷希特·理吉;大卫·史蒂芬·雷普利;宏晓·邵;宏·沈;卫明·孙;祥志·孙;帕特里克·劳伦斯·韦尔奇;小彼得·J·札帕帝;章国豪 |
分类号 |
H03F3/19(2006.01)I;H03F3/24(2006.01)I |
主分类号 |
H03F3/19(2006.01)I |
代理机构 |
北京市正见永申律师事务所 11497 |
代理人 |
黄小临 |
主权项 |
一种功率放大器模块,其包括:功率放大器,其包含砷化镓GaAs双极晶体管,所述GaAs双极晶体管具有集极、射极及邻接所述集极的基极,所述集极在与所述基极的结处具有至少约3×10<sup>16</sup>cm<sup>‑3</sup>的掺杂浓度,所述集极还具有其中掺杂浓度在远离所述基极的方向上增加的至少第一分级;及RF发射线,其由所述功率放大器驱动,所述RF发射线包含导电层及所述导电层上的表面处理镀层,所述表面处理镀层包含金层、接近所述金层的钯层及接近所述钯层的扩散势垒层,所述扩散势垒层包含镍且具有小于约镍在0.9GHz下的集肤深度的厚度。 |
地址 |
美国马萨诸塞州 |