扇出晶圆级封装结构

摘要

本发明公开了一种扇出晶圆级封装结构，包括：承载板，承载板上的第一开口部内装载有芯片；形成于承载板上且位于第一开口部周围的第一重布线层；形成于第一重布线层上的导电柱，导电柱的顶面高于芯片的顶面；形成于承载板上的第一封料层，第一封料层表面裸露出导电柱顶面和芯片的连接部件；形成于第一封料层上连接导电柱与芯片的第二重布线层；形成于第二重布线层上的第二封料层，第二封料层裸露出第二重布线层的连接区域；形成于连接区域上的焊球。本发明利用阻流结构fanout工艺，形成栅栏状的柱子区域，以限制树脂在固化过程中的涨缩，限制芯片的偏移；在承载板上方、导电柱下方设置第一重布线层，增加结合力、提高散热性能。

主权项

一种扇出晶圆级封装结构，其特征在于，包括：承载板，所述承载板上的第一开口部内装载有芯片；形成于所述承载板上且位于所述第一开口部周围的第一重布线层；形成于所述第一重布线层上的导电柱，所述导电柱的顶面高于所述芯片的顶面；形成于所述承载板上的第一封料层，所述第一封料层表面裸露出所述导电柱顶面和所述芯片的连接部件；形成于所述第一封料层上连接所述导电柱与所述芯片的第二重布线层；形成于所述第二重布线层上的第二封料层，所述第二封料层裸露出所述第二重布线层的连接区域；形成于所述连接区域上的焊球。