| 摘要 |
저전력 CPU들에서, 전력을 감소시키기 위한 최선의 방식은 공급 전압을 감소시키는 것이다. 가장 낮은 전압 메모리 어레이들은, 저전압들로 동작하기 위해서, 판독된 안정도 내성을 갖는 8T 셀(450)을 사용한다. 본 개시의 실시예는 기록 워드라인(WWL(410))이 상승할 시기를 결정한다. 결정(헤더 pFET(430))이 WWL이 상승하였다고 나타내면, 복수의 p-채널 전계 효과 트랜지스터들(pFET들(432, 434)) 중 적어도 하나는 전압 공급으로부터 연결해제되고, 적어도 하나의 복수의 n-채널 전계 효과 트랜지스터(nFET) 패스 게이트 트랜지스터들(440, 442)이 개방된다. |
