| 摘要 |
断熱した黒鉛製容器内にＳｉＣの種結晶を配置する工程と、種結晶をシェルフ上に支持する工程であって、クッションリングが種結晶の上下面の周縁で種結晶と接触し、黒鉛製容器が種結晶の側面と接触しない、工程と、Ｓｉ及びＣ原子源を断熱した黒鉛製容器内に配置する工程であって、Ｓｉ及びＣ原子源がＳｉＣ結晶を成長させるために種結晶へ輸送するためのものである、工程と、黒鉛製容器を炉内に配置する工程と、炉を加熱する工程と、炉を真空排気する工程と、炉に不活性ガスを充満する工程と、結晶成長を支持しそれによってＳｉＣ結晶を形成するように炉を維持する工程と、を含む、ＳｉＣ結晶を形成する工程。 |
