发明名称 | 一种单模半微盘谐振腔 | ||
摘要 | 本发明涉及一种单模半微盘谐振腔,包括分别闭合的内、外轮廓线,内、外轮廓线之间为波导,内轮廓线由用于电学连接或机械连接的扇形连接区域,以及实现波导宽度从窄到宽的渐变过渡曲线组成,扇形连接区域的角度小于或等于270度且大于0度,连接区域位于谐振腔的上部、左侧或者右侧。其中,连接区域连接电阻小,可实现高速响应;过渡曲线可以使谐振腔波导逐渐变宽的同时保证不激发高阶模式和泄漏模式,降低腔损耗。且该方案不会导致自由光谱范围的减小,可以满足滤波、调制等应用对光场模式的严格要求,在需要电学或机械连接的集成领域有众多潜在的用途。 | ||
申请公布号 | CN103779769B | 申请公布日期 | 2016.03.02 |
申请号 | CN201410032669.9 | 申请日期 | 2014.01.23 |
申请人 | 北京大学 | 发明人 | 周治平;李心白;邓清中 |
分类号 | H01S3/08(2006.01)I | 主分类号 | H01S3/08(2006.01)I |
代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李迪 |
主权项 | 一种单模半微盘谐振腔,包括分别闭合的内、外轮廓线,内、外轮廓线之间为非良导体材料的波导(3),或非良导体材料与金属结合的表面等离子体波导(3),其特征在于,所述内轮廓线由用于电学连接或机械连接的扇形连接区域(2),以及实现波导宽度从窄到宽的渐变过渡曲线(1)组成,所述扇形连接区域(2)的角度小于或等于270度且大于0度;所述连接区域(2)位于谐振腔的上部、左侧或者右侧。 | ||
地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号 |