一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及其产品

摘要

本申请公开了一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法及产品，该制备如下：在P+氮化镓衬底上外延生长N-型掺杂的氮化镓漂移层；在N-型掺杂的氮化镓漂移层上，利用离子注入形成P+掺杂区；在P+型掺杂区上，利用离子注入形成N+掺杂区；高温退火，激活掺杂原子；一次沉积SiO₂栅氧化层；一次刻孔SiO₂，露出发射极、栅极窗口；制备发射极、集电极接触；制备栅极金属接触；二次沉积SiO₂介质层；二次刻孔SiO₂，露出发射极窗口；发射极互联、集电极和栅极电极金属加厚。该工艺过程简单、重复性好、可靠性高。经过合理的外延层结构设计与合适的注入掺杂，实现了氮化镓基绝缘栅双极晶体管所需的基本材料结构。此外，该晶体管保证了器件具有很高的击穿电压与通态电流。

主权项

一种氮化镓基绝缘栅双极晶体管制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：1）将氮化镓衬底清洗后放入金属有机物化学气相沉积设备中，在P+氮化镓衬底上外延生长N‑型掺杂的氮化镓漂移层；2）在所述N‑型掺杂的氮化镓漂移层上，利用离子注入形成P+掺杂区；3）在所述P+型掺杂区上，利用离子注入形成N+掺杂区；4）高温退火，激活掺杂原子；5）一次沉积SiO₂栅氧化层；6）一次刻孔SiO₂，露出发射极、栅极窗口；7）制备发射极、集电极接触；8）制备栅极金属接触；9）二次沉积SiO₂介质层；10）二次刻孔SiO₂，露出发射极窗口；11）发射极互联、集电极和栅极电极金属加厚。