发明名称 |
集成电路结构 |
摘要 |
本发明提供一种集成电路结构。上述集成电路结构包括一阱区,其具有一第一导电类型。一射极,其具有相反于上述第一导电类型的一第二导电类型,上述射极位于上述阱区上方。一集极,其具有上述第二导电类型,上述集极位于上述阱区上方,且大体上环绕上述射极。一基极接触,其具有上述第一导电类型,上述基极接触位于上述阱区上方。上述基极接触将上述射极和上述集极水平隔开。至少一导电条状物,与上述射极、上述集极和上述基极接触彼此水平隔开。一介电层,位于至少一上述导电条状物的正下方,且与至少一上述导电条状物接触。本发明具有高射频频率和高电流增益,并导致闪烁噪声的降低,另外可降低工艺成本。 |
申请公布号 |
CN105355594A |
申请公布日期 |
2016.02.24 |
申请号 |
CN201510622440.5 |
申请日期 |
2010.06.09 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈家忠;陈硕懋;郭晋玮;刘莎莉 |
分类号 |
H01L21/8224(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/082(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/735(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8224(2006.01)I |
代理机构 |
隆天知识产权代理有限公司 72003 |
代理人 |
郝新慧;章侃铱 |
主权项 |
一种集成电路结构,包括:一阱区,其具有一第一导电类型;一射极,其具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型,该射极位于该阱区上方;一集极,其具有该第二导电类型,该集极位于该阱区上方,且大体上环绕该射极;一基极接触,其具有该第一导电类型,该基极接触位于该阱区上方,其中该基极接触将该射极和该集极水平隔开;至少一导电条状物,将该射极、该集极和该基极接触彼此水平隔开;以及一介电层,位于至少一所述导电条状物的正下方,且与至少一所述导电条状物接触。 |
地址 |
中国台湾新竹市 |