| 摘要 |
화학 기상 층착 공정(CVD)에 의하여 적어도 하나의 웨이퍼 상에 에피택셜층을 성장시키기 위한 시스템의 용도로 이용되는 웨이퍼 캐리어 어셈블리로서, 웨이퍼 캐리어 어셈블리는, 중심축에 대하여 대칭적으로 형성되고, 중심축에 대하여 수직적으로 배치된 대체로 평탄한 탑 표면 및 탑 표면에 대하여 평행하며 평탄한 바닥 표면을 구비하는 웨이퍼 캐리어 몸체를 포함한다. 적어도 하나의 웨이퍼 유지 포켓은 탑 표면으로부터 웨이퍼 캐리어 몸체 내에 리세스된다. 각 웨이퍼 유지 포켓은 플로어 표면(floor surface) 및 플로어 표면을 둘러싸며 주변을 정의하는 주변벽 표면(peripheral wall surface)을 포함한다. 적어도 하나의 열 제어 특징부는 웨이퍼 캐리어 몸체 내에 형성된 내부 캐비티 또는 보이드를 포함하고, 웨이퍼 캐리어 몸체의 내부 표면에 의하여 정의된다. |
