发明名称 半导体封装之改良
摘要 明系有关于一种半导体封装,其包括:一第一半导体次封装(40),其具有一连接面(44),复数个无支持连接件(21)依附排列于该连接面,以将包含于其中之第一半导体元件与一外部电路进行电性连接;以及至少一第二半导体次封装(42),其具有一连接面(46),复数个无支持连接件(25)依附排列于该连接面,以将包含于其中之第二半导体元件与一外部电路进行电性连接,该第二半导体次封装(42)于该连接面(46)之对面上还具有一接合面(48);其中该第二半导体次封装(42)设置于该第一半导体次封装(40)上,使其接合面(48)接合于该第一半导体次封装(40)之连接面(44)。
申请公布号 TWI523168 申请公布日期 2016.02.21
申请号 TW097122208 申请日期 2008.06.13
申请人 RF模组与光学设计公司 发明人 安德鲁 乔治 和岚
分类号 H01L23/48(2006.01);H01L25/04(2014.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/56(2006.01) 主分类号 H01L23/48(2006.01)
代理机构 代理人 吴冠赐;苏建太
主权项 一种半导体封装,包括:一第一半导体次封装,其具有一连接面,且连接件依附排列于该连接面,该连接件未由保护封装材料所支持,且以电性连接包含于其中之第一半导体元件与一外部电路,该连接面系为该第一半导体次封装之一主动表面;以及至少一第二半导体次封装,其亦具有一连接面,且连接件依附排列于该连接面,该连接件未由保护封装材料所支持,且以电性连接包含于其中之一第二半导体元件与一外部电路,该连接面系为该至少一第二半导体次封装之一主动表面;该第二半导体次封装亦具有一接合面于该连接面之相反侧;其中该第二半导体次封装设置于该第一半导体次封装上,使其接合面结合于该第一半导体次封装之该连接面;以及其中该第一半导体次封装系一晶圆级晶片尺寸封装(WLCSP),该晶圆级晶片尺寸封装包括该第一半导体元件,且该第一半导体元件具有封装层配置于其之主动表面上。
地址 英国