光电传感器及其制造方法

摘要

本发明提供一种光电传感器及其制造方法，本发明光电传感器包括位于所述衬底上的像素单元，像素单元由光电二极管和薄膜晶体管组成，其中薄膜晶体管的漏极结构又用作光电二极管的阴极结构，使得像素所占的面积减小，有利于提高光电传感器的分辨率，并且光电二极管的阳极结构与阴极结构采用横向设置，有效减小了光电传感器的厚度，进而使得本发明光电传感器具有尺寸小、分辨率高的优点。本发明光电传感器的制造方法可以与传统LCD制造方法相结合，简化了光电传感器的生产工艺，缩短了生产周期，有效降低了生产成本。

主权项

一种光电传感器，用于实现指纹识别，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括用于形成薄膜晶体管的第一区域、用于形成光电二极管的第二区域；位于第一区域衬底表面的栅极；位于栅极上的本征半导体层；位于第一区域衬底上所述本征半导体层表面的分立的第一导电结构、第二导电结构，与所述第一导电结构相比，所述第二导电结构更靠近所述衬底的第二区域，所述第一导电结构和所述第二导电结构均包括位于本征半导体层上的第一掺杂半导体层和第一电极层，所述第一导电结构用作所述薄膜晶体管的源极结构，所述第二导电结构用作所述薄膜晶体管的漏极结构；覆盖于所述第一导电结构、第二导电结构以及本征半导体层上的介质层，位于第二区域衬底上的所述介质层中具有贯穿所述介质层的开口，所述开口露出所述本征半导体层；依次位于所述开口中的第二掺杂半导体层、第二电极层，位于所述开口中的第二掺杂半导体层、第二电极层构成第三导电结构；所述第二导电结构还用作光电二极管的阴极结构，位于开口中的所述第三导电结构用作光电二极管的阳极结构，位于所述第三导电结构与所述第二导电结构之间的本征半导体用作光电二极管的光吸收层；所述光电二极管能够将指纹反射的光信号转化为电信号，并通过薄膜晶体管输出，所述光电二极管与所述薄膜晶体管构成一像素单元。