一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法

摘要

本发明公开了一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法，包括以下步骤：首先利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型掺杂剂形成P型基区，再在外延层上进行侵蚀而形成多个栅极沟槽；并向沟槽顶部的侧壁注入N型掺杂剂，形成N型源区；然后，在外延层表面沉积层间介质，再利用接触孔掩模，对层间介质和外延层表面进行侵蚀形成接触沟槽，并对接触沟槽进行金属插塞填充；最后，在器件的上表面沉积金属层，利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线，采用本制备方法，省略了基区掩模和源区掩模的制备工序，使器件的制造成本得到了较大的降低；同时不会影响器件原有的电气特性，从而增加了器件的性能价格比。

主权项

一种制备沟槽半导体功率分立器件的方法，其特征在于，由以下步骤构成：(1)利用沟槽掩模对衬底上的外延层注入P型掺杂剂形成P型基区，再在外延层上进行侵蚀而形成多个栅极沟槽；并向沟槽顶部的侧壁注入N型掺杂剂，形成N型源；(2)在外延层表面沉积层间介质，再利用接触孔掩模，对层间介质和外延层表面进行侵蚀形成接触沟槽，并对接触沟槽进行金属插塞填充；(3)在器件的上表面沉积金属层，利用金属掩模进行金属侵蚀，形成金属垫层和连线。