发明名称 |
高频率49S石英晶体谐振器的制备方法 |
摘要 |
本发明公开并提供了一种微调加工简单、不易发生寄生振荡和产品稳定性好的高频率49S石英晶体谐振器的制备方法。该方法包括以下步骤:a、通过研磨机对石英晶片进行研磨;b、将所述石英晶片放入到滚筒倒边机内进行倒边处理;c、根据实际情况计算出返回频率和腐蚀频率,利用酸性溶液对所述石英晶片进行腐蚀;d、通过腐蚀频率和晶体谐振器频率差来确定膜层厚度后进行镀膜形成引出电极,所述电极包括上电极和下电极,所述上电极和长度和宽度均大于所述下电极的尺寸;e、将所述石英晶片装在基座上,点上导电胶并高温固化;f、采用石英晶体微调机对所述上电极进行微调;g、将所述基座与外壳进行封焊。 |
申请公布号 |
CN105322905A |
申请公布日期 |
2016.02.10 |
申请号 |
CN201410237280.8 |
申请日期 |
2014.05.30 |
申请人 |
珠海东精大电子科技有限公司 |
发明人 |
田峰 |
分类号 |
H03H3/02(2006.01)I |
主分类号 |
H03H3/02(2006.01)I |
代理机构 |
广州市红荔专利代理有限公司 44214 |
代理人 |
王贤义 |
主权项 |
一种高频率49S石英晶体谐振器的制备方法,其特征在于:它包括以下步骤:a. 通过研磨机对石英晶片进行研磨;b. 将所述石英晶片放入到滚筒倒边机内进行倒边处理;c. 根据实际情况计算出返回频率,根据返回频率得出合适的腐蚀频率后,利用酸性溶液对研磨后的石英晶片进行深度腐蚀;d. 通过石英晶片的腐蚀频率和晶体谐振器频率差来确定膜层厚度之后进行镀膜,形成引出电极,所述电极包括上下不同尺寸的上电极和下电极,所述上电极和长度和宽度均大于所述下电极的尺寸;e. 将镀膜后的石英晶片装在基座上,点上导电胶并高温固化;f. 采用石英晶体微调机对所述上电极进行微调,所述石英晶体微调机的微调孔为1.2X0.7mm;g. 将基座与外壳放置在充满氮气的环境中进行封焊。 |
地址 |
519060 广东省珠海市珠海大道东段南屏科技园绿园路3号 |