| 摘要 |
화학적 처리 시스템과, 기판을 단일 에너지의 공간 전하 중성화된 중성 빔 활성화된 화학적 처리로 처리하기 위하여 화학적 처리 시스템을 사용하는 방법을 설명한다. 화학적 처리 시스템은, 제1 플라즈마를 제1 플라즈마 전위에서 형성하기 위한 제1 플라즈마 챔버, 및 제1 플라즈마 전위보다 큰 제2 플라즈마 전위에서 제1 플라즈마로부터의 전자 플럭스를 사용하여 형성된 제2 플라즈마를 형성하기 위한 제2 플라즈마 챔버를 포함한다. 또한, 화학적 처리 시스템은 기판을 제2 플라즈마 챔버에 위치 결정하도록 구성된 기판 홀더를 포함한다. |
