半導体基板、半導体基板の製造方法および複合基板の製造方法

摘要

半導体結晶層形成基板の上方に、犠牲層および半導体結晶層を有し、半導体結晶層形成基板、犠牲層および半導体結晶層が、半導体結晶層形成基板、犠牲層、半導体結晶層の順に位置する半導体基板であって、半導体結晶層形成基板の犠牲層側の界面から半導体結晶層の途中までの任意の断面位置に、半導体結晶層形成基板または犠牲層を構成する複数種類の原子から選択された一の種類の第１原子の拡散を抑制する拡散抑制層を有する半導体基板を提供する。