发明名称 离子阱装置和制造该离子阱装置的方法
摘要 本发明的实施方式提供了一种离子阱装置和制造该离子阱装置的方法。所述离子阱装置包括:一个或更多个中心DC电极,所述一个或更多个中心DC电极包括半导体基板上的DC连接器焊盘和连接至DC连接器焊盘的DC轨;RF电极,所述RF电极包括靠近DC轨设置的一个或更多个RF轨和连接至一个或更多个RF轨的RF焊盘;以及一个或更多个侧电极,所述一个或更多个侧电极包括关于RF电极与中心DC电极相对设置的一个或更多个侧电极焊盘,其中,各个电极具有在面对另一电极的部分处的圆的边缘。
申请公布号 CN105308716A 申请公布日期 2016.02.03
申请号 CN201480026893.5 申请日期 2014.08.08
申请人 SK电信有限公司;首尔大学产学协力团 发明人 赵东日;金兑炫;尹钟建;崔炳斗;洪锡俊;李珉栽
分类号 H01J49/42(2006.01)I;H01J49/10(2006.01)I 主分类号 H01J49/42(2006.01)I
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人 吕俊刚;刘久亮
主权项 一种离子阱装置,该离子阱装置包括:至少一个中心DC电极,所述至少一个中心DC电极包括:设置在半导体基板上的DC连接器焊盘,和连接至所述DC连接器焊盘的DC轨;RF电极,所述RF电极包括:靠近所述DC轨设置的至少一个RF轨,和连接至所述至少一个RF轨的RF焊盘;以及至少一个侧电极,所述至少一个侧电极包括:关于所述RF电极与所述中心DC电极相对设置的至少一个侧电极焊盘,其中,所述电极当中的至少一对电极具有彼此面对的圆角。
地址 韩国首尔