| 发明名称 | 一种IPS模式TFT基板制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种IPS模式TFT基板制备方法。所述方法包括：在基板上沉积Gate层的工序；采用CVD工艺，沉积岛层的工序；沉积第一ITO层的工序；沉积源极漏极层的工序；采用CVD工艺，沉积保护层的工序；在本工序中，包括：在进行CVD成膜之前，通过等离子体清洁气体进行清洁的步骤；沉积第二ITO层的工序。应用本发明技术方案，能够在制备过程中抑制膜内灰的产生，从而提升TFT基板整体上的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN105304560A | 申请公布日期 | 2016.02.03 |
| 申请号 | CN201510652312.5 | 申请日期 | 2015.10.10 |
| 申请人 | 信利（惠州）智能显示有限公司 | 发明人 | 朱东梅;刘力明;符伟杰;邓泽新;黄伟东;李建华 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 温旭 |
| 主权项 | 一种IPS模式TFT基板制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上沉积Gate层的工序；采用CVD工艺，沉积岛层的工序；沉积第一ITO层的工序；沉积源极漏极层的工序；采用CVD工艺，沉积保护层的工序；在本工序中，包括：在进行CVD成膜之前，通过等离子体清洁气体进行清洁的步骤；沉积第二ITO层的工序。 | ||
| 地址 | 516006 广东省惠州市仲恺高新区仲恺大道666号科融创业大厦13层 | ||