一种半导体功率器件

摘要

本发明提供了一种半导体功率器件，包括第一导电类型第一半导体层及其表面的第一导电类型第二半导体层，设置于第一导电类型第二半导体层中的第二导电类型第一阱区和第二阱区；分别设置于第一、第二阱区部分区域中的第一导电类型第一源区和第二源区；部分覆盖了源区和阱区的第一绝缘层，设置于第一绝缘层上的多晶硅层，覆盖了多晶硅层和部分源区的第二绝缘层，覆盖了源区、阱区和第二绝缘层的第一金属层，设置于第一导电类型第一半导体层背面的第二导电类型第三半导体层及其背面的第二金属层，所述第一导电类型第二半导体层的禁带宽度大于第一导电类型第一半导体层的禁带宽度。本发明的半导体功率器件，能够有效抑制通态损耗和耐压之间的矛盾。

主权项

一种半导体功率器件，其特征在于，包括第一导电类型第一半导体层，位于第一导电类型第一半导体层表面的第一导电类型第二半导体层，设置于第一导电类型第二半导体层中的第二导电类型第一阱区，以及与所述第二导电类型第一阱区隔开的第二导电类型第二阱区；设置于所述第二导电类型第一阱区部分区域中的第一导电类型第一源区，以及设置于所述第二导电类型第二阱区部分区域中的第一导电类型第二源区；设置于第一导电类型第二半导体层上且部分覆盖了第一源区、第二源区、第一阱区和第二阱区的第一绝缘层，设置于第一绝缘层上的多晶硅层，设置于第一导电类型第二半导体层上且覆盖了多晶硅层和部分第一源区和第二源区的第二绝缘层，设置于第一导电类型第二半导体层上且覆盖了第一源区、第二源区、第一阱区、第二阱区和第二绝缘层的第一金属层，设置于第一导电类型第一半导体层背面的第二导电类型第三半导体层，以及覆盖在第二导电类型第三半导体层背面的第二金属层，所述第一导电类型第二半导体层的禁带宽度大于第一导电类型第一半导体层的禁带宽度，所述第一导电类型第二半导体层的掺杂浓度小于等于第一导电类型第一半导体层的掺杂浓度。