发明名称 半导体元件用基板之弯曲矫正装置及弯曲矫正方法
摘要 明之弯曲矫正装置包括:喷射机构,其包含进行喷射处理之喷嘴;吸附台,其系于主面侧或成膜面侧吸附且保持半导体元件用基板;移动机构,其系以使半导体元件用基板相对于喷嘴之喷射材料之喷射区域而相对移动之方式使吸附台移动;喷射处理室,其收纳被保持于吸附台之半导体元件用基板,且于内部进行喷射处理;测定机构,其测定半导体元件用基板之弯曲;及控制装置,其系根据目标弯曲量与由测定机构测定出之弯曲量之差,进行喷射机构之喷射处理条件之设定处理、及已进行喷射处理之半导体元件用基板之合格与否判定之至少一者。
申请公布号 TWI520248 申请公布日期 2016.02.01
申请号 TW101125713 申请日期 2012.07.16
申请人 新东工业股份有限公司 发明人 井上巧一;前田和良;涩谷纪仁
分类号 H01L21/67(2006.01) 主分类号 H01L21/67(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项 一种半导体元件用基板之弯曲矫正装置,其系矫正半导体元件用基板之弯曲之弯曲矫正装置,其包括:喷射机构,其包含喷嘴,该喷嘴进行对上述半导体元件用基板之主面之相反侧或成膜面之相反侧即背面喷射喷射材料之喷射处理;吸附台,其吸附上述半导体元件用基板之主面或成膜面而保持上述半导体元件用基板;移动机构,其系以使上述半导体元件用基板相对于上述喷嘴之喷射材料之喷射区域而相对移动之方式使上述吸附台移动;喷射处理室,其收纳被保持于上述吸附台之上述半导体元件用基板,且于内部进行喷射处理;测定机构,其测定上述半导体元件用基板之弯曲量;及控制装置,其系根据预先设定之目标弯曲量与由上述测定机构测定出之上述半导体元件用基板之弯曲量之差,进行上述喷射机构之喷射处理条件之设定处理、及已进行喷射处理之上述半导体元件用基板之合格与否判定之至少一者。
地址 日本