晶片级直下式光导元件及其制作方法

摘要

晶片级直下式光导元件，其包含：一微机电元件、一导光件及一透光封装结构。微机电元件是利用CMOS-MEMS制程所制成，微机电元件包含一二氧化矽层及一环状金属层，环状金属层位于二氧化矽层内，二氧化矽层及环状金属层分别裸露于微机电元件的一第一表面及一相对应于第一表面设置的第二表面，且二氧化矽层被环状金属层分隔为一内部二氧化矽层及一外部二氧化矽层。导光件设置于第一表面，且导光件具有一对应设置于导光槽中的凸部。透光封装结构设置于第二表面，且其具有一透光槽，透光槽裸露第二表面的内部二氧化矽层。其中，外部光束由导光件进入后，透过导光件的凸部进入内部二氧化矽层，而直接或是经过环状金属层反射，而集中由透光槽射出。

主权项

一种制作晶片级直下式光导元件的方法，其包含下列步骤：利用CMOS-MEMS制程提供一微机电元件，该微机电元件包含有一二氧化矽层及一成形于该二氧化矽层之中的环状金属层，该二氧化矽层及该环状金属层分别裸露于该微机电元件的一第一表面及一相对应于该第一表面设置的第二表面，且该二氧化矽层被该环状金属层分隔为一内部二氧化矽层及一外部二氧化矽层；蚀刻该微机电元件的该第一表面，以于该内部二氧化矽层的表面形成一导光槽；形成一透光封装结构于该第二表面；蚀刻该透光封装结构，以形成一裸露该第二表面的透光槽；以及设置一导光件于该第一表面，且该导光件具有一对应于该导光槽外型的凸部；其中，外部光束由该导光件进入后，透过该导光件的该凸部进入该内部二氧化矽层，而直接或是经过该环状金属层反射，而集中由该透光槽射出。