内连线结构及其制作方法

摘要

本发明公开一种内连线结构及其制作方法，该内连线结构，包括一第一栅极电极，具有一第一功函数金属层的一第一部分，第一部分位于一信号金属层的一第一部分之下；以及一第二栅极电极，具有第一功函数金属层的一第二部分，第二部分插置于一第二功函数金属层与信号金属层的一第二部分之间，其中信号金属层的第二部分位于第一功函数金属层的第二部分之上，信号金属层的第二部分与信号金属层的第一部分是连续的，信号金属层的第二部分的最大厚度小于信号金属层的第一部分的最大厚度。本发明的实施例中内连线结构的接触阻抗，较不受工艺变动的影响。

主权项

一种在互补式金属氧化物半导体中制作内连线结构的方法，包括：提供一基板；形成一栅介电层于该基板上；在该基板上的一介电层中形成一闲置栅极电极；通过移除该闲置栅极电极的第一部分以在该基板上的一介电层中形成位于一第一开口；以一第二功函数金属层部分填入该第一开口，其中该第二功函数金属层的一顶面位于该第一开口的一顶面之下；通过移除该闲置栅极电极的第二部分以在该基板上的该介电层中形成一邻接该第一开口的第二开口；在该第一开口与该第二开口中沉积一第一阻挡层，其中该第一阻挡层的材质包括氮化钽(TaN)或氮化钨；沉积一第一功函数金属层于该第一开口与该第二开口中，使该第一开口中的该第一功函数金属层位于该第二功函数金属层上，且该第一阻挡层位于该第一功函数金属层与该第二功函数金属层之间，并沿着该第一功函数金属层的侧壁延伸；在该第一开口与该第二开口中沉积一第二阻挡层；在该第一开口与该第二开口中沉积一信号金属层于该第一功函数金属层上，其中该第二阻挡层位于该信号金属层与该第一功函数金属层之间；以及平坦化该信号金属层。