一种GaN衬底的制作方法

摘要

本发明提供了一种GaN衬底的制作方法，先在支撑衬底上形成晶格匹配层，并在晶格匹配层上形成具有图形化结构的介质层，接着在晶格匹配层以及介质层上生长GaN材料层，随后通过高温工艺使介质层与晶格匹配层发生反应，以使晶格匹配层与支撑衬底完全脱离，最后，平坦化GaN材料层以形成GaN衬底。利用本发明制成的GaN衬底制作LED芯片，可使LED芯片的晶体质量和发光亮度都得到较大提升，并且在成本上更具优势。

主权项

一种GaN衬底的制作方法，其特征在于，包括：提供一支撑衬底；在所述支撑衬底上形成晶格匹配层；在所述晶格匹配层上形成具有图形化结构的介质层，所述具有图形化结构的介质层暴露出部分所述晶格匹配层；在所述晶格匹配层以及介质层上生长GaN材料层；通过高温工艺使所述介质层与晶格匹配层发生反应，以使所述晶格匹配层与所述支撑衬底完全脱离，所述高温工艺的温度大于1200℃；平坦化所述GaN材料层，形成GaN衬底。