| 发明名称 |
透明导电性膜及其制造方法 |
| 摘要 |
明提供一种具有透明导电层之比电阻较低且厚度较薄之特性、并且耐龟裂性优异之透明导电性膜及其制造方法。
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| 申请公布号 |
TW201601939 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104116102 |
申请日期 |
2015.05.20 |
| 申请人 |
日东电工股份有限公司 |
发明人 |
川上梨惠;梨木智刚;藤野望;佐佐和明;待永広宣;黑濑爱美;松田知也 |
| 分类号 |
B32B9/00(2006.01);B32B7/02(2006.01);H01B5/14(2006.01);H01B1/02(2006.01) |
主分类号 |
B32B9/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种透明导电性膜，其特征在于：其系具有高分子膜基材及在上述高分子膜基材之至少一主面上之透明导电层者，且上述透明导电层系包含铟锡复合氧化物之结晶质透明导电层，上述透明导电层之残留应力为600MPa以下，上述透明导电层之比电阻为1.1×10-4Ωcm~3.0×10-4Ωcm，上述透明导电层之厚度为15nm~40nm。
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| 地址 |
日本 |
