用于相变化记忆体之交错式写入与验证

摘要

储存一资料数值在一记忆胞(memory cell)的方法。资料数值包含一第一资料数值和一第二资料数值其中之一，第一资料数值和第二资料数值分别由第一及一第二可编程电阻值范围(programmable resistance ranges)所表示。此方法包括：在一写入周期(cycle)，应用具有一第一验证周期的一第一验证操作及具有一第一写入周期的一第一写入操作以储存第一资料数值在记忆胞，或应用具有一第二验证周期的一第二验证操作及具有一第二写入周期的第二写入操作以储存第一资料数值在记忆胞，第二验证周期长于第一验证周期，第二写入周期短于第一写入周期。写入周期系短于该第一写入周期及该第二验证周期之和。

主权项

【第1项】一种储存一资料数值在一记忆胞(memory cell)的方法，该资料数值包含一第一资料数值和一第二资料数值其中之一，该第一资料数值和该第二资料数值分别由一第一及一第二可编程电阻值范围(programmable resistance ranges)所表示，该方法包括：在一写入周期(cycle)，应用具有一第一验证周期的一第一验证操作及具有一第一写入周期的一第一写入操作以储存该第一资料数值在该记忆胞，或应用具有一第二验证周期的一第二验证操作及具有一第二写入周期的一第二写入操作以储存该第二资料数值在该记忆胞，该第二验证周期长于该第一验证周期，该第二写入周期短于该第一写入周期；其中，该写入周期系短于该第一写入周期及该第二验证周期之和。