发明名称 プラズマ処理装置、及びプラズマ処理方法
摘要 プラズマ処理装置PM1は、プラズマ処理空間Sを画成する処理容器12と、被処理基板Wの設置用のステージ14と、プラズマ反応に用いられる処理ガスをプラズマ処理空間Sへ導入するガス供給系38等とを備える。また、プラズマ処理装置PM1は、処理ガスをプラズマ化するための電磁エネルギーを供給するマイクロ波発生器16を備える。また、プラズマ処理装置PM1は、処理容器12の外部の基板搬入ステージに設置された被処理基板Wに対するプラズマ処理開始の指令が発行されて被処理基板Wが処理容器12内へ搬送されている間に、ウェーハレスの状態で、処理ガスを供給するとともに電磁エネルギーを供給するウォームアップ処理を行う制御部100を備える。
申请公布号 JPWO2013176144(A1) 申请公布日期 2016.01.14
申请号 JP20140516813 申请日期 2013.05.21
申请人 東京エレクトロン株式会社 发明人 松本 直樹;富田 祐吾
分类号 H01L21/3065;H01L21/205 主分类号 H01L21/3065
代理机构 代理人
主权项
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