| 发明名称 |
安定化されたケミカルメカニカルポリッシング組成物及び基板を研磨する方法 |
| 摘要 |
<p>A chemical mechanical polishing composition, comprising, as initial components: water; 0.1 to 40 wt % abrasive having an average particle size of 5 to 150 nm; 0.001 to 1 wt % of an adamantyl substance according to formula (II); 0 to 1 wt % diquaternary substance according to formula (I); and, 0 to 1 wt % of a quaternary ammonium compound. Also, provided is a method for chemical mechanical polishing using the chemical mechanical polishing composition.</p> |
| 申请公布号 |
JP5843093(B2) |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
| 申请号 |
JP20110133174 |
申请日期 |
2011.06.15 |
| 申请人 |
ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド |
发明人 |
イ・グォ;チェントン・リウ;カンチャーラ−アルン・クマール・レディ;グアンユン・ツァン |
| 分类号 |
H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
主分类号 |
H01L21/304 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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