| 发明名称 | 半导体基板、半导体装置及半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种半导体基板，其特征在于，其具有：硅系基板；缓冲层，该缓冲层设于前述硅系基板上，且由含有硼的氮化物系半导体所构成；及，有源层，该有源层被形成于前述缓冲层上；并且，前述缓冲层的硼浓度，从前述硅系基板侧朝向前述有源层侧逐渐减少。由此，本发明提供一种半导体基板，其在缓冲层中含有足够得到位错抑制效果的硼，并且硼不会扩散到有源层。 | ||
| 申请公布号 | CN105247658A | 申请公布日期 | 2016.01.13 |
| 申请号 | CN201480031048.7 | 申请日期 | 2014.05.02 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司 | 发明人 | 鹿内洋志;佐藤宪;后藤博一;篠宫胜;土屋庆太郎;萩本和德 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;H01L21/338(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/812(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张永康;李英艳 |
| 主权项 | 一种半导体基板，其特征在于，其具有：硅系基板；缓冲层，该缓冲层设于前述硅系基板上，并且由含有硼的氮化物系半导体所构成；及，有源层，该有源层被形成于前述缓冲层上；并且，前述缓冲层的硼浓度，从前述硅系基板侧朝向前述有源层侧逐渐减少。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||