发明名称 |
应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件及制备方法,该制备方法包括:选取GOI衬底;生长N型应变SiGe层和N型Si帽层;采用刻蚀工艺形成隔离沟槽以划分出NMOS有源区和PMOS有源区;采用离子注入工艺在NMOS有源区表面注入P型离子形成P阱;光刻形成NMOS栅极区图形,采用离子束刻蚀工艺形成第一双梯形凹槽,光刻形成PMOS栅极区图形,采用离子束刻蚀工艺形成第二双梯形凹槽;生长氧化层以形成NMOS栅介质材料和PMOS栅介质材料;刻蚀NMOS栅介质材料采用离子注入工艺形成NMOS源漏区,刻蚀PMOS栅介质材料并采用离子注入工艺形成PMOS源漏区;生长栅极材料形成NMOS栅极和PMOS栅极;(i)金属化处理,并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线,最终形成应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件。 |
申请公布号 |
CN105244319A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510540201.5 |
申请日期 |
2015.08.28 |
申请人 |
西安电子科技大学 |
发明人 |
刘翔宇;王斌;胡辉勇;张鹤鸣;宋建军;舒斌;宣荣喜 |
分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I;H01L27/092(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8238(2006.01)I |
代理机构 |
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 |
代理人 |
汤东凤 |
主权项 |
一种应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件的制备方法,其特征在于,包括步骤:(a)选取GOI衬底;(b)在所述GOI衬底上生长N型应变SiGe层和N型Si帽层;(c)在所述N型Si帽层表面采用刻蚀工艺形成隔离沟槽,以划分出NMOS有源区和PMOS有源区;(d)采用离子注入工艺在所述NMOS有源区表面注入P型离子形成P阱;(e)在所述NMOS有源区表面光刻形成NMOS栅极区图形,采用离子束刻蚀工艺形成第一双梯形凹槽,在所述PMOS有源区表面光刻形成PMOS栅极区图形,采用离子束刻蚀工艺形成第二双梯形凹槽;(f)在所述NMOS有源区和所述PMOS有源区表面生长氧化层以形成NMOS栅介质材料和PMOS栅介质材料;(g)在所述NMOS有源区表面第一指定位置刻蚀所述NMOS栅介质材料并采用离子注入工艺形成NMOS源漏区,在所述PMOS有源区表面第二指定位置处刻蚀所述PMOS栅介质材料并采用离子注入工艺形成PMOS源漏区;(h)在所述NMOS有源区表面异于所述NMOS源漏区和所述PMOS有源区表面异于所述PMOS源漏区分别生长栅极材料形成NMOS栅极和PMOS栅极;以及(i)金属化处理,并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线,最终形成应变SiGe沟道的倒梯形栅CMOS集成器件。 |
地址 |
710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号 |