用于快速回复整流器结构之装置及方法

摘要

用于一快速回复整流器结构的装置及方法。具体而言，该结构包括一具有一第一类型掺杂剂的基板。一以该第一类型掺杂剂轻度掺杂之第一磊晶层耦接至该基板。一第一金属层耦接至该第一磊晶层。复数个沟槽凹陷至该第一磊晶层中，其每一者耦接至该金属层。该设备亦包含复数个各以一第二类型掺杂剂掺杂的井，其中每一井形成于一对应沟槽下方且与之相邻。复数个氧化层形成于一对应沟槽之壁及一底部上。以该第一掺杂剂掺杂的复数个通道区域形成于两个对应井之间的该第一磊晶层内部。该复数个通道区域之每一者以该第一类型掺杂剂较该第一磊晶层更重度地掺杂。

主权项

一种制造超快二极体结构之方法，包含：于一第一类型掺杂剂掺杂之一基板上沈积一第二磊晶层；于沈积该第二磊晶层后，沈积以该第一类型掺杂剂轻度掺杂的一第一磊晶层，其中该基板较该第一磊晶层更重度地掺杂，及其中以该第一类型掺杂剂掺杂的该第二磊晶层较该基板系低重度地掺杂，且较该第一磊晶层更重度地掺杂；蚀刻一第一及一第二沟槽至该第一磊晶层中；在接近该第一沟槽之一底部的位置植入一第二类型掺杂剂掺杂的一第一井且在接近该第二沟槽之一底部的位置植入一第二类型掺杂剂掺杂的一第二井，其中该等复数个井之每一者彼此间隔开；于该第一磊晶层内该第一井与该第二井之间形成一通道区域，其中该通道区域较该第一磊晶层更重度地掺杂第一类型掺杂剂；及于该第一磊晶层上沈积一第一金属层。