发明名称 |
一种凹面转盘式单辊快淬制备非晶薄带的方法 |
摘要 |
一种凹面转盘式单辊快淬制备非晶薄带的方法,属于非晶薄带制备技术领域,采用凹面转盘式单辊,在圆柱的顶端向内缺失一倒立的圆锥所得单辊为凹面转盘式单辊,凹面转盘式单辊内侧表面为所述的凹面,凹面直径向内逐渐变小,即缺失的圆锥的底面在圆柱的顶端,熔体喷射在围绕圆锥中心轴旋转的凹面转盘式单辊内侧的凹面上,使熔体所受离心力的方向由圆筒式单辊的垂直于接触面向上变为与接触面有夹角并指向接触面内部,在内侧凹面边缘非晶薄带冷却自身收缩和离心力作用下自行脱离辊轮。本发明制备的薄带尺寸更薄、表面光洁度更高、性能更好。 |
申请公布号 |
CN103691897B |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201310664316.6 |
申请日期 |
2013.12.09 |
申请人 |
北京工业大学 |
发明人 |
王波;朱晓岗;严辉;李耳;王如志;张铭;宋雪梅;侯育冬;朱满康;刘晶冰;汪浩 |
分类号 |
B22D11/06(2006.01)I |
主分类号 |
B22D11/06(2006.01)I |
代理机构 |
北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 |
代理人 |
张慧 |
主权项 |
一种凹面转盘式单辊快淬制备非晶薄带的方法,其特征在于,采用凹面转盘式单辊,凹面转盘式单辊,在圆柱的顶端向内缺失一倒立的圆锥所得单辊为凹面转盘式单辊,凹面转盘式单辊内侧表面为所述的凹面,凹面直径向内逐渐变小,即缺失的圆锥的底面在圆柱的顶端,熔体喷射在围绕圆锥中心轴旋转的凹面转盘式单辊内侧的凹面上,使熔体所受离心力的方向由圆筒式单辊的垂直于接触面向上变为与接触面有夹角并指向接触面内部,在内侧凹面边缘非晶薄带冷却自身收缩和离心力作用下自行脱离辊轮。 |
地址 |
100124 北京市朝阳区平乐园100号 |