| 发明名称 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置，其中所述阵列基板的制造方法包括三道掩膜工序，其中第一道掩膜工序用于形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及像素电极，其中所述有源层和所述像素电极同层设置于基板上方，所述源极和漏极位于所述有源层上方。 | ||
| 申请公布号 | CN103681489B | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201310718064.0 | 申请日期 | 2013.12.23 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 崔承镇;金熙哲;宋泳锡;刘圣烈 |
| 分类号 | H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/77(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 李迪 |
| 主权项 | 一种阵列基板的制造方法，包括：第一道掩膜工序，所述第一道掩膜工序用于形成所述阵列基板中薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及像素电极，其中所述有源层和所述像素电极同层设置于基板上方，所述源极和漏极位于所述有源层上方；第二道掩膜工序，在所述第二道掩膜工序中，形成覆盖所述薄膜晶体管的源极、漏极、有源层及所述像素电极的绝缘层，并在所述绝缘层上形成开口，所述开口位于所述漏极与所述像素电极交界处上方；第三道掩膜工序，在所述第三道掩膜工序中，形成位于所述源极和漏极之间的、所述绝缘层上方的栅极，并在所述开口中形成接触电极，用于使所述漏极与所述像素电极电连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区仙桥路10号 | ||