| 发明名称 | 一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种高电阻率碳化硅陶瓷及其制备方法，所述高电阻率碳化硅陶瓷的组成包括1.54-3.08wt%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、3.46-6.92wt%的Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>以及碳化硅，上述三种组成之和为100wt%；所述高电阻率碳化硅陶瓷含有晶化的碳化硅晶粒、包覆在晶化的碳化硅晶粒表面的非晶化碳化硅颗粒以及存在于晶化的碳化硅晶粒之间的晶界膜。<b /> | ||
| 申请公布号 | CN104098335B | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201410364075.8 | 申请日期 | 2014.07.29 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 黄政仁;梁汉琴;刘学建;姚秀敏 |
| 分类号 | C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/565(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人 | 曹芳玲;郑优丽 |
| 主权项 | 一种高电阻率碳化硅陶瓷，其特征在于，所述高电阻率碳化硅陶瓷的组成包括1.54‑3.08 wt%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、3.46‑6.92wt%的Er<sub>2</sub>O<sub>3</sub>以及碳化硅，上述三种组成之和为100wt%；所述高电阻率碳化硅陶瓷含有晶化的碳化硅晶粒、包覆在晶化的碳化硅晶粒表面的非晶第二相以及存在于晶化的碳化硅晶粒之间的非晶晶界膜，所述晶化的碳化硅晶粒的尺寸为0.5‑0.8μm，所述高电阻率碳化硅陶瓷通过在1650‑1750℃的温度范围内采用放电等离子烧结制得，所述碳化硅陶瓷的电阻率在4.38×10<sup>10</sup>‑3.52×10<sup>11</sup>Ω·cm。 | ||
| 地址 | 200050 上海市长宁区定西路1295号 | ||