发明名称 一种扇出型封装结构及其制作方法
摘要 本发明提供一种扇出型封装结构及其制作方法,所述方法包括以下步骤:S1:提供一基板,在所述基板上表面形成粘胶层;S2:在所述粘胶层上表面形成再分布引线层;S3:在所述再分布引线层上表面键合至少一个第一芯片并制作至少两个第一凸块结构;所述第一芯片与所述第一凸块结构均与所述再分布引线层电连接,且所述第一凸块结构的顶部高于所述第一芯片的顶部;S4:在所述再分布引线层上表面形成塑封层,所述塑封层覆盖所述第一芯片,且暴露出所述第一凸块结构的上端;S5:去除所述基板及粘胶层,在所述再分布引线层下表面制作第二凸块结构。本发明可以减少芯片与再分布引线层之间的偏移,提高良率;且封装过程更为简单,可以降低生产成本。
申请公布号 CN105225965A 申请公布日期 2016.01.06
申请号 CN201510741725.0 申请日期 2015.11.03
申请人 中芯长电半导体(江阴)有限公司 发明人 林正忠;蔡奇风
分类号 H01L21/48(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I 主分类号 H01L21/48(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 余明伟
主权项 一种扇出型封装结构的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:S1:提供一基板,在所述基板上表面形成粘胶层;S2:在所述粘胶层上表面形成再分布引线层;S3:在所述再分布引线层上表面键合至少一个第一芯片并制作至少两个第一凸块结构;所述第一芯片与所述第一凸块结构均与所述再分布引线层电连接,且所述第一凸块结构的顶部高于所述第一芯片的顶部;S4:在所述再分布引线层上表面形成塑封层,所述塑封层覆盖所述第一芯片,且暴露出所述第一凸块结构的上端;S5:去除所述基板及粘胶层,在所述再分布引线层下表面制作第二凸块结构。
地址 214437 江苏省无锡市江阴市长山大道78号