发明名称 |
一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法 |
摘要 |
本发明提供了一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法,属于磁性材料与元器件技术领域。首先采用薄膜沉积工艺并在外磁场H1作用下,在基片上沉积[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜;然后外加大小大于交换耦合多层膜的交换偏置场H<sub>ex1</sub>、方向与交换耦合多层膜交换偏置场H<sub>ex1</sub>方向相反的外磁场H2,同时在交换耦合多层膜表面沿外磁场H2方向施加脉冲电流,即可实现对磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制。本发明可在薄膜噪声抑制器制备完成后,根据实际需要调整噪声信号抑制频段及展宽噪声抑制器的抑制频段,可大大提高薄膜噪声抑制器的应用灵活性。 |
申请公布号 |
CN105225833A |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201510701570.8 |
申请日期 |
2015.10.26 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
唐晓莉;刘如;苏桦;钟智勇;张怀武 |
分类号 |
H01F41/14(2006.01)I;H01F10/32(2006.01)I |
主分类号 |
H01F41/14(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
吴姗霖 |
主权项 |
一种磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制方法,包括以下步骤:步骤1:采用薄膜沉积工艺并在外磁场H1作用下,在基片上沉积[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜;采用薄膜沉积工艺沉积[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜时,所述外磁场H1的方向沿膜面,大小在50Oe~300Oe之间;所得的[铁磁层/反铁磁层]n交换耦合多层膜由于铁磁层与反铁磁层之间的钉扎作用,会产生沿外磁场H1方向的交换偏置场H<sub>ex1</sub>;步骤2:对步骤1得到的交换耦合多层膜施加外磁场作用,所述施加的外磁场H2的大小为大于交换耦合多层膜的交换偏置场H<sub>ex1</sub>、方向与步骤1所述交换耦合多层膜交换偏置场H<sub>ex1</sub>方向相反;同时,在所述交换耦合多层膜表面沿外磁场H2方向施加脉冲电流,即可实现对磁性薄膜噪声抑制器带宽的调制。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |