发明名称 |
一种聚合物薄膜电双稳器件及其制作方法 |
摘要 |
本发明涉及一种聚合物薄膜电双稳器件及其制作方法,包括:由下至上依次设置的基底(1)、功能层(2)、电极层(3),所述功能层(2)为聚3-己基噻吩和聚甲基丙烯酸甲酯共混物层。所述聚3-己基噻吩和聚甲基丙烯酸甲酯的质量比为1:9。本发明所述的聚合物薄膜电双稳器件及其制作方法,减少了操作流程,由于相分离现象,改善了成膜性,提高了器件制作效率,具有良好的应用前景。 |
申请公布号 |
CN105226188A |
申请公布日期 |
2016.01.06 |
申请号 |
CN201510627058.3 |
申请日期 |
2015.09.28 |
申请人 |
北京交通大学 |
发明人 |
彭博;胡煜峰;娄志东;侯延冰;滕枫 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L27/28(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01)I |
代理机构 |
北京卫平智业专利代理事务所(普通合伙) 11392 |
代理人 |
董琪 |
主权项 |
一种聚合物薄膜电双稳器件,其特征在于,包括:由下至上依次设置的基底(1)、功能层(2)、电极层(3),所述功能层(2)为聚3‑己基噻吩和聚甲基丙烯酸甲酯共混物层。 |
地址 |
100044 北京市海淀区西直门外上园村3号 |