| 摘要 |
L'invention concerne un composant (10) comportant une diode de Shockley verticale (D1) comprenant du haut vers le bas une première région (15) d'un premier type de conductivité, un substrat (13a) d'un second type de conductivité, une deuxième région (17) du premier type de conductivité dans laquelle est formée une troisième région (19) du second type de conductivité, ce composant comportant en outre un premier transistor vertical (T2'), ce transistor comprenant du haut vers le bas une portion (13b) dudit substrat séparée de la diode de Shockley (D1) par un mur vertical (22), une portion de la deuxième région (17), une quatrième région (24) de même nature que la troisième région (19), formée dans ladite portion de la deuxième région (17), la troisième région (19) étant connectée à la quatrième région (24). |
