半导体装置、层合型半导体装置、封装后层合型半导体装置及此等之制造方法

摘要

明之课题为提供一种对于配线基板之载置或半导体装置之层合为容易，且即使于金属配线之密度大的情况中半导体装置之翘曲亦受到抑制的半导体装置。
本发明之解决手段为一种半导体装置，其系具有半导体元件、与电连接于半导体元件的半导体元件上金属垫及金属配线，金属配线系电连接于贯穿电极及焊锡凸块，且具有：载置有半导体元件之第一绝缘层、形成于半导体元件上之第二绝缘层、以及形成于第二绝缘层上之第三绝缘层，金属配线系在第二绝缘层的上面经由半导体元件上金属垫而电连接于半导体元件，且从第二绝缘层的上面贯穿第二绝缘层而在第二绝缘层的下面电连接于贯穿电极。

主权项

一种半导体装置，其系具有半导体元件、与电连接于该半导体元件之半导体元件上金属垫及金属配线，且该金属配线系电连接于贯穿电极及焊锡凸块，其特征为，具有：载置有前述半导体元件之第一绝缘层、形成于前述半导体元件上之第二绝缘层、以及形成于该第二绝缘层上之第三绝缘层，前述金属配线系在前述第二绝缘层的上面经由前述半导体元件上金属垫而电连接于前述半导体元件，且从前述第二绝缘层的上面贯穿前述第二绝缘层而在前述第二绝缘层的下面电连接于前述贯穿电极者。