形成具有闸极环绕通道组构的奈米线装置的方法及该奈米线装置

摘要

明涉及形成具有闸极环绕通道组构的奈米线装置的方法及该奈米线装置。一种示例方法包括围绕鳍片形成至少一个磊晶半导体覆盖材料层并图案化该覆盖材料以及该鳍片，从而导致该图案化鳍片位于该图案化覆盖材料下，其中，该图案化覆盖材料具有上部以及自该上部向下延伸的多个基本垂直取向的支腿。该方法还包括相对该图案化覆盖材料选择性移除该图案化鳍片，环绕该覆盖材料的至少部分形成牺牲闸极结构，在各该基本垂直取向的支腿上形成磊晶半导体源极/汲极区，以及围绕该覆盖材料的至少部分形成最终闸极结构。

主权项

一种方法，包括：在半导体基板中形成鳍片；执行至少一个第一磊晶沉积制程，以围绕该鳍片的暴露部分形成至少一个磊晶半导体覆盖材料层；执行至少一个蚀刻制程，以图案化该至少一个覆盖材料层以及该鳍片，从而导致该鳍片的图案化部分位于该图案化的至少一个覆盖材料层下，该图案化的至少一个覆盖材料层具有上部以及自该上部向下延伸的多个基本垂直取向的支腿；执行至少一个蚀刻制程，以相对该图案化的至少一个覆盖材料层选择性移除该图案化鳍片，从而在该图案化的至少一个覆盖材料层下形成开口；环绕该至少一个覆盖材料层的该上部的至少部分形成牺牲闸极结构；伴随该牺牲闸极结构就位，执行第二磊晶沉积制程，以在各该基本垂直取向的支腿上形成磊晶半导体源极/汲极区；移除该牺牲闸极结构；以及环绕该至少一个覆盖材料层的该上部的至少部分形成最终闸极结构。