| 发明名称 | 封装基板、包含该封装基板的覆晶封装电路及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种封装基板、包含该封装基板的覆晶封装电路及其制作方法。该封装基板包括：一第一导线层，其包含一第一金属走线及一第一介电材料层，其中，该第一金属走线凸出于该第一介电材料层；一导电柱层，形成于该第一导线层上，该导电柱层包含一金属柱状物、一铸模化合物层、及一第二介电材料层，该金属柱状物连接该第一金属走线，且该第二介电材料层形成于该铸模化合物层上；一第二导线层，形成于该导电柱层上，该第二导线层包含一连接该金属柱状物的第二金属走线；以及一保护层，形成于该第二导线层上。 | ||
| 申请公布号 | CN105206595A | 申请公布日期 | 2015.12.30 |
| 申请号 | CN201410295624.0 | 申请日期 | 2014.06.26 |
| 申请人 | 恒劲科技股份有限公司 | 发明人 | 许哲玮;许诗滨 |
| 分类号 | H01L23/495(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L21/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/495(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人 | 孙皓晨 |
| 主权项 | 一种封装基板，其特征在于，其包括：一第一导线层，其包含一第一金属走线及一第一介电材料层，其中，该第一金属走线凸出于该第一介电材料层；一导电柱层，形成于该第一导线层上，该导电柱层包含一金属柱状物、一铸模化合物层、及一第二介电材料层，该金属柱状物连接该第一金属走线，且该第二介电材料层形成于该铸模化合物层上；一第二导线层，形成于该导电柱层上，该第二导线层包含一连接该金属柱状物的第二金属走线；以及一保护层，形成于该第二导线层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||