用于MOCVD设备的进气及冷却装置

摘要

本发明中用于MOCVD设备的进气及冷却装置，设有位于反应腔内顶部的喷淋头，将有机金属气体的进气导管穿设在隔离气体的进气口中，使隔离气体能够形成帘幕状的气流并环绕在输送的有机金属气体外围，从而将刚喷出的有机金属气体与氢化物气体隔开，抑制两者过早反应产生寄生颗粒；本发明还可以防止寄生颗粒形成在进气装置底面的进气口附近；使输送的有机金属气体与氢化物气体在基座上及在各基片上都能够均匀分布，保证薄膜生长质量，提升薄膜生长率。

主权项

一种用于MOCVD设备的进气及冷却装置，其特征在于，设有位于反应腔内顶部的喷淋头，其中包含：多个互相隔离的反应气体扩散腔，多个所述反应气体扩散腔包括多块隔板，其中底部隔板上设置有多组气体导管，通过导管向反应腔通入反应气体，所述多组气体导管包括：一组第一进气导管，用来向MOCVD设备的反应腔内输送有机金属气体；一组第二进气导管，用来输送氢化物气体；所述有机金属气体和氢化物气体由该喷淋头输送的载气携带至反应腔内底部的基片表面进行薄膜沉积反应；多个所述反应气体扩散腔下方还包括一块冷却板，所述反应气体扩散腔包括位于底部隔板与冷却板之间的隔离气体扩散腔，所述冷却板上包括：一组第一进气口，用来向所述反应腔内输送隔离气体；每个所述第一进气导管分别穿设在与之相对应的一个第一进气口之中，使第一进气口输送的隔离气体所形成的帘幕状气流环绕在有机金属气体外围，将刚喷出的有机金属气体与氢化物气体隔开；以及，一组第二进气口，各自为下端口径大于上端口径的漏斗状；所述第一进气口及第二进气口的下端开口，在冷却板的底面相互间隔且交替分布；每个所述第二进气口和与之相对应的一个第二进气导管连通，通过所述第二进气口将氢化物气体和载气混合后的气体向所述反应腔内输送。