发明名称 |
阵列基板的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板的制造方法,属于显示技术领域,解决了现有技术中有机膜层容易脱落的技术问题。该阵列基板的制造方法包括:形成半导体层、栅极绝缘层、栅极金属层、间绝缘层和源漏极金属层;对所述源漏极金属层和所述间绝缘层的表面进行清洗;对所述源漏极金属层和所述间绝缘层的表面进行灰化;在所述源漏极金属层和所述间绝缘层上形成有机膜层。 |
申请公布号 |
CN105206617A |
申请公布日期 |
2015.12.30 |
申请号 |
CN201510531299.8 |
申请日期 |
2015.08.26 |
申请人 |
武汉华星光电技术有限公司 |
发明人 |
杨元隆 |
分类号 |
H01L27/12(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 |
代理人 |
朱绘;徐彦圣 |
主权项 |
一种阵列基板的制造方法,包括:形成半导体层、栅极绝缘层、栅极金属层、间绝缘层和源漏极金属层;对所述源漏极金属层和所述间绝缘层的表面进行清洗;对所述源漏极金属层和所述间绝缘层的表面进行灰化;在所述源漏极金属层和所述间绝缘层上形成有机膜层。 |
地址 |
430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋 |