发明名称 SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE
摘要 본 발명은, 적어도 2층 이상의 반도체층(103)(105)과, 발광층(104)을 적층하여 구성되는 적층 반도체층(110)을 가지며, 제1 광을 발광하는 반도체 발광 소자(100)와, 적어도 반도체 발광 소자(100)의 일부를 덮고, 제1 광의 적어도 일부를 흡수하여, 제1 광의 파장과는 다른 제2 광을 발광하는 파장 변환 부재로 구성되어 있고, 반도체 발광 소자(100)는, 반도체 발광 소자(100)를 구성하는 어느 한 주면에 있어서, 면 바깥 방향으로 뻗어 있는 복수의 볼록부 또는 오목부로 구성되는 도트를 포함하는 미세 구조층을 구성 요소로서 구비하고, 미세 구조층은, 적어도 도트 사이의 피치, 도트 직경 또는 도트 높이 중 어느 것에 의해 제어된 이차원 포토닉 결정(102)을 구성하고, 이차원 포토닉 결정(102)은 적어도 각각 1 ㎛ 이상의 2개 이상의 주기를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치를 제공한다.
申请公布号 KR20150143648(A) 申请公布日期 2015.12.23
申请号 KR20157032282 申请日期 2014.06.02
申请人 ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION 发明人 YAMAGUCHI FUJITO;SHIROKURA NAO
分类号 H01L33/50;H01L33/22 主分类号 H01L33/50
代理机构 代理人
主权项
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