发明名称 |
读取传感器及其形成方法以及磁数据存储系统 |
摘要 |
本公开提供了读取传感器及其形成方法以及磁数据存储系统。在一个实施例中,一种读取传感器包括:反铁磁(AFM)钉扎层,该AFM钉扎层在元件高度方向上从面对介质的表面凹陷至第一高度;第一反平行被钉扎多层(AP1),位于AFM钉扎层之上并延伸超过第一高度至面对介质的表面;第二反平行被钉扎层(AP2),位于AP1之上并延伸超过第一高度至面对介质的表面;以及自由层,在AP2之上位于面对介质的表面处并在元件高度方向上从面对介质的表面延伸至第二高度,其中元件高度方向垂直于面对介质的表面,其中AP1和AP2不从面对介质的表面凹陷,并且其中AFM钉扎层、AP1和AP2在元件高度方向上延伸超过自由层在第二高度之外。 |
申请公布号 |
CN105185388A |
申请公布日期 |
2015.12.23 |
申请号 |
CN201510411561.5 |
申请日期 |
2015.04.29 |
申请人 |
HGST荷兰公司 |
发明人 |
K·S·霍;S·桑 |
分类号 |
G11B5/127(2006.01)I;G11B5/48(2006.01)I |
主分类号 |
G11B5/127(2006.01)I |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 11105 |
代理人 |
张波 |
主权项 |
一种读取传感器,包括:反铁磁(AFM)钉扎层,配置为以预定方式钉扎位于其上的一个或多个被钉扎层的磁取向,该AFM钉扎层在元件高度方向上从面对介质的表面凹陷至第一高度;第一反平行被钉扎多层(AP1),位于所述AFM钉扎层之上并延伸超过所述第一高度至所述面对介质的表面;第二反平行被钉扎层(AP2),位于所述AP1之上并延伸超过所述第一高度至所述面对介质的表面;以及自由层,配置为响应于存储到磁介质的磁信息,所述自由层在所述AP2之上位于所述面对介质的表面处并在所述元件高度方向上从所述面对介质的表面延伸至第二高度,其中所述元件高度方向垂直于所述面对介质的表面,其中所述AP1和所述AP2不从所述面对介质的表面凹陷,并且其中所述AFM钉扎层、所述AP1和所述AP2在所述元件高度方向上延伸超过所述自由层在所述第二高度之外。 |
地址 |
荷兰阿姆斯特丹 |